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MOS管(MOSFET场效应管)
可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两极之间不通导,源极上加有足够的正电压(栅极接地)时,栅极下的N型硅表面呈现P型反型层,成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的空穴密度,从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道,加上适当的偏压,可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。
P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下,PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外,P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高,要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性,与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。PMOS因逻辑摆幅大,充电放电过程长,加之器件跨导小,所以工作速度更低,在NMOS电路(见N沟道金属—氧化物—半导体集成电路)出现之后,多数已为NMOS电路所取代。只是,因PMOS电路工艺简单,价格便宜,有些中规模和小规模数字控制电路仍采用PMOS电路技术。
不同的封装尺寸MOS管具有不同的热阻和耗散功率,需要考虑系统的散热条件和环境温度(如是否有风冷、散热器的形状和大小限制、环境是否封闭等因素),基本原则就是:在保证功率MOS管的温升和系统效率的前提下,选取参数和封装更通用的功率MOS管。
常见的MOS管封装有:
①插入式封装:TO-3P、TO-247、TO-220、TO-220F、TO-251、TO-92;
②表面贴装式:TO-263、TO-252、SOP-8、SOT-23、DFN5*6、DFN3*3;
不同的封装形式,MOS管对应的极限电流、电压和散热效果都会不一样.
功率模块(Power Module)
以先进的IGBT芯片技术为基础,结合高可靠性的封装技术,新洁能推出全新的IGBT功率集成模块(PIM)系列产品。该系列产品包括650V、750V、1200V和1700V系列产品,并搭载了不同系列的IGBT芯片,以保证产品工作效率最优;同时,可以提供各种通用的封装外形和电路拓扑的IGBT功率模块产品,满足不同的应用要求。新洁能的PIM可以广泛用于工业变频、工业逆变、新能源、汽车电子等领域。
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