DMZ1015E/DMX1015E 在 TYPE-C PD 充电器中的应用 DMZ1015E / DMX1015E 是具有超高阈值电压的耗尽型 MOSFET，利用该器 件的亚阈值特性可以实现稳定的电压或电流输出。在 Type-C / PD 充电器电路中， 使用 DMZ1015E / DMX1015E 作为高压线性稳压器可以使 PWM IC 电源电路更加 简化。 其中 DMZ1015E 的封装形式为 SOT-23, DMX1015E 的封装形式为 SOT-89。 应用文档《AN-DM37 DMX1015E 应用指南》中， 详细描述了 DMX1015E 在 Type-C PD 充电器的应用
DMX1015E 耐压高达 100V，能承受更宽的输入电压。同时 DMX1015E 采用 SOT-89 封装，有较高的耗散功率（能达到 1W），另外较之 DMZ0615E 有较高的钳 位输出电压，适合于上述单绕组的 VCC 供电。 在充电器输出电压范围很宽的工作状态下（3.3-20V ）, 给 PWM IC 供电的附 加绕组输出电压往往能达到 80V 以上，这样采用 DMX1015E（SOT-89 封装），以 单绕组的形式给 VCC 供电，DMX1015E（SOT-89 封装）漏源间承受的电压较高， 功耗较大，效率较低
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