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品牌
英飞凌
批号
2020+
数量
37500
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装/箱体
TO-252-3
晶体管极性
N-Channel
通道数量
1Channel
Vds-漏源极击穿电压
30V
Id-连续漏极电流
90A
RdsOn-漏源导通电阻
2.6mOhms
Vgs-栅极-源极电压
20V
Vgsth-栅源极阈值电压
1V
Qg-栅极电荷
33nC
最小工作温度
-55C
最大工作温度
+175C
Pd-功率耗散
94W
通道模式
Enhancement
配置
Single
高度
2.3mm
长度
6.5mm
系列
OptiMOS3
晶体管类型
1N-Channel
宽度
6.22mm
正向跨导-最小值
50S
下降时间
5ns
上升时间
6ns
典型关闭延迟时间
34ns
典型接通延迟时间
9ns
零件号别名
IPD031N03LGSP000680554
单位重量
4g
可售卖地
全国
型号
IPD031N03LGATMA1
技术参数
| 品牌： | INFINEON/英飞凌 |
| 型号： | IPD031N03LGATMA1 |
| 批号： | 2020+ |
| 数量： | 37500 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TO-252-3 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 30 V |
| Id-连续漏极电流： | 90 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 2.6 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1 V |
| Qg-栅极电荷： | 33 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 94 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 高度： | 2.3 mm |
| 长度： | 6.5 mm |
| 系列： | OptiMOS 3 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 6.22 mm |
| 正向跨导 - 最小值： | 50 S |
| 下降时间： | 5 ns |
| 上升时间： | 6 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 34 ns |
| 典型接通延迟时间： | 9 ns |
| 零件号别名： | IPD031N03L G SP000680554 |
| 单位重量： | 4 g |
价格说明
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